Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Đường kính 2mm / 4mm Độ dài 10mm / 20mm

GS1 Lớp tổng hợp hợp nhất Tấm Quartz Cửa sổ quang học

Thông qua đường kính (TGV) cho JGS1 JGS2 thủy tinh corning sapphire cho Sensor Manufacturing and Packaging

Sapphire Wafer 2 inch 4 inch Single Side Double Side Polish 350um Thickness Crystal Orientation C-plane

Quartz Crystal Substrate trong các kích thước khác nhau 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch với độ dày tùy chỉnh

Violeta màu tím sapphire đá quý thô sapphire kim loại đá quý Sapphire màu người làm Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Tấm thạch anh nóng chảy hình dạng tùy chỉnh với lỗ xuyên thấu quang học

Cửa sổ kính thạch anh silica nóng chảy SiO2 Truyền tia UV-Hồng ngoại Laser

Các cửa sổ quang Quartz hình dạng không đều tùy chỉnh

Quartz Glass Window UV Fused Silica Optical Viewport Custom Size Lớp phủ có sẵn

Cửa sổ kính thạch anh gia công CNC Tấm silica nóng chảy không đều cho hệ thống quang học và laser

Các lỗ nhỏ trên nền thủy tinh TGV được khoan hiệu suất cao siêu mỏng trong suốt

Silicon carbide wafer

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Tấm nền Silicon Carbide (SiC) bán cách điện độ tinh khiết cao cho kính AR

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Các tấm vải SiC bán cách nhiệt tinh khiết cao cho kính AR

SiC-on Insulator SiCOI Substrate dẫn nhiệt cao băng tần rộng

Giới thiệu sản phẩm Tấm bán dẫn 3C-SiC, Quy trình sản xuất và Nguyên lý vật liệu

Ống Sapphire

Ống mao dẫn thạch anh nóng chảy SiO2 Siêu mịn Y sinh Bán dẫn

Nhôm oxit nhôm ống sapphire cấp quang học đánh bóng

Bụi Sapphire kín Oxide nhôm đánh bóng tinh thể đơn chống ăn mòn

Phương pháp EFG chống trầy xước Sapphire Tube Oxide Polished

High Purity Sapphire Lift Pin For Semiconductor Wafer Handling Cấu hình tùy chỉnh

Sapphire nâng pin cho chất bán dẫn Ceramic nâng pin cao độ tinh khiết Sapphire nâng pin

Chất nền bán dẫn

Định hướng chất nền tinh thể ZnTe 110 10x10x0.5mm 10x10x1mm Cho thế hệ phát hiện THz

SiC chất nền 2/3/4/6/8 inch HPSI sản xuất giả nghiên cứu cấp

Si Wafer 8inch Độ dày 675 μm đến 775 μmP Loại N Loại 111 Hai mặt đánh bóng / một mặt đánh bóng

Si Wafer / Substrate Độ dày 8 inch 675-775 μm, loại P/N, định hướng 111, sơn hai / một mặt

Silicon wafer Si wafer 8inch N type P type<111><100><110> SSP DSP hạng Prime hạng Dummy

8 inch Si Wafer CZ 200mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP,DSP P Type,B Dopant cho vật liệu bán dẫn

Đá quý tổng hợp

Al2o3 Ruby tổng hợp Titan pha tạp chất Sapphire cho Quang học Kính sapphire xanh lam Cửa sổ sapphire xanh lam

Lớp phủ Kích thước tùy chỉnh Laser Sapphire Crystal Độ cứng cao Chống ăn mòn

Tinh thể Sapphire pha tạp Laser màu Al2o3 Tổng hợp

Lớp phủ tùy chỉnh Kích thước Laser Sapphire Crystal Độ cứng cao Chống ăn mòn

Đường kính 1mm 100mm Chiều dài Laser Sapphire Crystal Rods Pha lê Sapphire Crystal

Tần số cao Laser Sapphire Crystal Titanium pha tạp đơn 4 cấp độ rung

bộ phận gốm sứ

Khay than chì tráng SiC 6 inch Silicon carbide Tấm than chì chịu nhiệt độ cao

Silicon Carbide Trays SiC wafers đĩa tray cho khắc ICP MOCVD Susceptor Wear Resistant

Thang gốm Silicon Carbide được sử dụng để hỗ trợ vật liệu Bánh bán dẫn Khả năng chống ăn mòn tuyệt vời

Silicon Carbide Ceramic Tray với CVD SiC Lớp phủ kích thước tùy chỉnh Sintering nhiệt độ cao

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy đánh dấu laser UV 355nm 3W/5W/10W Điện năng tùy chọn ±0.01mm Độ chính xác

Máy laser micro-jet cho chế biến vật liệu tổng hợp ma trận kim loại cắt wafer cắt cắt cắt

Máy khoan laser thủy tinh xử lý sapphire bước sóng 532nm Độ chính xác cao

Máy lọc đĩa gốm-làm sáp máy tích hợp ngành công nghiệp bán dẫn tự động

Máy đánh dấu cầu vồng laser siêu nhanh Dải nhiễu kim loại với hiệu ứng cầu vồng chuyển hướng góc động

Wafer Bonder Thiết bị Nhiệt độ phòng Bonding Hydrophilic Bonding cho 4 6 8 12 inch SiC-Si SiC-SiC

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Mặt đồng hồ Sapphire tinh khiết cao tinh khiết Kích thước tùy chỉnh đánh bóng bề mặt

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Cửa sổ kính Sapphire tùy chỉnh Màu trắng trong suốt Bề mặt được đánh bóng

Độ dày 3.75mm Sapphire Crystal Watch Case Blue 9H Độ cứng mài mòn cao Độ bền

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

1 2 3 4 5 6 7 8