Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

TGV Glass Substrate Through-hole Coating Semiconductor Packaging JGS1 JGS2

Đường kính 2mm / 4mm Độ dài 10mm / 20mm

Thống Ruby tổng hợp Cr:Al2O3 Có sẵn trong 2mm / 4mm Dia10mm / 20mm chiều dài

GS1 Lớp tổng hợp hợp nhất Tấm Quartz Cửa sổ quang học

Thông qua đường kính (TGV) cho JGS1 JGS2 thủy tinh corning sapphire cho Sensor Manufacturing and Packaging

Sapphire Wafer 2 inch 4 inch Single Side Double Side Polish 350um Thickness Crystal Orientation C-plane

Cửa sổ quang Sapphire

UV / IR Grade Quartz thông qua các tấm lỗ Custom cắt nhiệt độ cao hóa học

Quartz Prisms UV Grade Beam Steering Optics cho hệ thống laser và hình ảnh

Lăng kính quang học thạch anh nóng chảy truyền UV / VIS Góc tùy chỉnh

Tấm thạch anh nóng chảy hình dạng tùy chỉnh với lỗ xuyên thấu quang học

Cửa sổ kính thạch anh silica nóng chảy SiO2 Truyền tia UV-Hồng ngoại Laser

Các cửa sổ quang Quartz hình dạng không đều tùy chỉnh

Silicon carbide wafer

4inch 4H-Semi HPSI SiC Wafer for Semiconductor and Electronics

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Tấm nền Silicon Carbide (SiC) bán cách điện độ tinh khiết cao cho kính AR

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Các tấm vải SiC bán cách nhiệt tinh khiết cao cho kính AR

Ống Sapphire

Ống mao dẫn sapphire hiệu suất cao Khả năng chịu sốc nhiệt

Lớn ID Thin-Wall Fused Silica Capillary Tubes SiO2 bán dẫn y sinh

Ống mao dẫn thạch anh nóng chảy SiO2 Siêu mịn Y sinh Bán dẫn

Nhôm oxit nhôm ống sapphire cấp quang học đánh bóng

Bụi Sapphire kín Oxide nhôm đánh bóng tinh thể đơn chống ăn mòn

Phương pháp EFG chống trầy xước Sapphire Tube Oxide Polished

Chất nền bán dẫn

Định hướng chất nền tinh thể ZnTe 110 10x10x0.5mm 10x10x1mm Cho thế hệ phát hiện THz

SiC chất nền 2/3/4/6/8 inch HPSI sản xuất giả nghiên cứu cấp

Si Wafer 8inch Độ dày 675 μm đến 775 μmP Loại N Loại 111 Hai mặt đánh bóng / một mặt đánh bóng

Si Wafer / Substrate Độ dày 8 inch 675-775 μm, loại P/N, định hướng 111, sơn hai / một mặt

Silicon wafer Si wafer 8inch N type P type<111><100><110> SSP DSP hạng Prime hạng Dummy

8 inch Si Wafer CZ 200mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP,DSP P Type,B Dopant cho vật liệu bán dẫn

Đá quý tổng hợp

Lemon Yellow Sapphire Gemstone Synthetic Lemon Yellow Raw Material For Jewelry Making Độ cứng Mohs là 9

Vật liệu sapphire AL2O3 Monocrystal 80KG 200KG 400KG KY Method LED Semi Grade

Royal Blue Moissanite Rough Single Crystal Silicon Carbide In Jewelry Industry - Được tạo ra trong phòng thí nghiệm

Moissanite Raw Stone Champagne Colo Silicon carbide tinh thể đơn thang Mohs 9,25 cho ngành công nghiệp đồ trang sức

Màu hồng Sapphire nguyên liệu thô Sapphire làm trong phòng thí nghiệm Đá quý không có lỗi độ cứng Mohs 9

Sapphire đá quý Vật liệu thô phòng thí nghiệm làm Olive Green Soft Mint Green Emerald Green Cho đồ trang sức

bộ phận gốm sứ

Alumina gốm / cánh tay cơ khí / Cốc hút / Các bộ phận cấu trúc gốm Al2O3

Khay than chì tráng SiC 6 inch Silicon carbide Tấm than chì chịu nhiệt độ cao

Silicon Carbide Trays SiC wafers đĩa tray cho khắc ICP MOCVD Susceptor Wear Resistant

Thang gốm Silicon Carbide được sử dụng để hỗ trợ vật liệu Bánh bán dẫn Khả năng chống ăn mòn tuyệt vời

Silicon Carbide Ceramic Tray với CVD SiC Lớp phủ kích thước tùy chỉnh Sintering nhiệt độ cao

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy đánh bóng robot cho bề mặt quang học lớn và phức tạp

Chiếc cưa kim cương cắt chính xác Máy kiểm soát căng thẳng ổn định

Thiết bị định hướng tinh thể tia X để căn chỉnh mặt phẳng tham chiếu

Máy cắt kim cương đơn tuyến ba trạm SiC Sapphire Ceramics

Ống Polyimide PI Linh hoạt Độ bền kéo cao OD 0.3 0.4 0.4

Hệ thống đánh dấu laser sợi thông minh Mã hàng loạt Logo Khả năng truy xuất

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Thạch tinh đồng hồ Sapphire cứng cao với Optical Polishing & AR Coating Options

Vòng bi ruby xuyên lỗ được chế tạo chính xác với độ cứng cực cao (Mohs 9) và ruby tinh thể đơn tổng hợp để giảm thiểu ma sát và mài mòn

39/40/45mm Sapphire Crystal Watch Mặt trượt kính hiển vi hai mặt được đánh bóng

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

1 2 3 4 5 6 7 8