Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

Các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Bản đồ trang web

CÔNG TY

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

Các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Đĩa sapphire đơn tinh thể 4 inch 6 inch A Plane dùng cho quang học

C Cấp đến A Cấp 4 ° 2inch 4inch Sapphire Wafer DSP SSP Sapphire Substrate

Phiên Sapphire 12 inch cao cấp cho các ngành công nghiệp chiếu sáng và điện tử tiêu dùng chất lượng cao

8 inch Sapphire Wafer DSP Al2O3 Single Crystal cho đèn LED

Cửa sổ quang Sapphire

Vòng bi Sapphire Linh kiện độ chính xác cao Quang học Chịu nén cao

Bảo vệ ống sapphire quang laser áp suất cao nhiệt độ cao

Sapphire Optical Dome – High-Precision Optical Protection

Vòm bảo vệ cơ học Sapphire – Độ bền cực cao cho môi trường khắc nghiệt

Xương Ruby Xương Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá Đá

UV / IR Grade Quartz thông qua các tấm lỗ Custom cắt nhiệt độ cao hóa học

Silicon carbide wafer

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Tấm bán dẫn đơn tinh thể 4H-SiC Epitaxial cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 µm, 6 inch)

Tấm nền Silicon Carbide (SiC) bán cách điện độ tinh khiết cao cho kính AR

Đế Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm / Chip vuông nhỏ – SiC hiệu suất cao

Các tấm vải SiC bán cách nhiệt tinh khiết cao cho kính AR

SiC-on Insulator SiCOI Substrate dẫn nhiệt cao băng tần rộng

Ống Sapphire

Lớn ID Thin-Wall Fused Silica Capillary Tubes SiO2 bán dẫn y sinh

Ống mao dẫn thạch anh nóng chảy SiO2 Siêu mịn Y sinh Bán dẫn

Nhôm oxit nhôm ống sapphire cấp quang học đánh bóng

Bụi Sapphire kín Oxide nhôm đánh bóng tinh thể đơn chống ăn mòn

Phương pháp EFG chống trầy xước Sapphire Tube Oxide Polished

High Purity Sapphire Lift Pin For Semiconductor Wafer Handling Cấu hình tùy chỉnh

Chất nền bán dẫn

SOI wafer P Type N Type 6 inch 8 inch 12 inch SSP / DSP

ITO Glass Substrate Indium Tin Oxide Glass phủ In2O3/SnO2 10 X 10 50×50 Độ dày 1,1mm

Fluorine Tin Oxide Glass FTO Lớp kính phủ FTO Glass1'' x1' x3' x3' độ truyền 80 ~ 85%

Định hướng chất nền tinh thể ZnTe 110 10x10x0.5mm 10x10x1mm Cho thế hệ phát hiện THz

SiC chất nền 2/3/4/6/8 inch HPSI sản xuất giả nghiên cứu cấp

8 inch Si Wafer CZ 200mm Prime Grade Silicon Wafer <111>, SSP,DSP P Type,B Dopant cho vật liệu bán dẫn

Đá quý tổng hợp

Ngọc quý thạch xanh Emerald Sapphire được chế tạo trong phòng thí nghiệm để làm đồ trang sức tinh tế

Coral / Rose Pink Sapphire Raw / Roughgem Crystal Lab được làm cho phụ kiện trang sức

Khối Sapphire pha Cr3+ pha Cr Al2O3 Laser đỏ 36x36x60mm Kích thước tùy chỉnh

Tinh thể sapphire tổng hợp màu pha tạp laser Al2O3

10x10mmt Đỏ Xanh Xanh Màu Xanh Sapphire Block, Doped nhân tạo Sapphire Crystal Block

Khung tinh thể laser sapphire hiệu suất cao

bộ phận gốm sứ

Silicon Carbide Ceramic Tray với CVD SiC Lớp phủ kích thước tùy chỉnh Sintering nhiệt độ cao

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Ống Polyimide PI Linh hoạt Độ bền kéo cao OD 0.3 0.4 0.4

Thiết bị định hướng tinh thể tia X để căn chỉnh mặt phẳng tham chiếu

Máy cắt kim cương đơn tuyến ba trạm SiC Sapphire Ceramics

Hệ thống đánh dấu laser sợi thông minh Mã hàng loạt Logo Khả năng truy xuất

Máy khắc laser sợi quang nhỏ gọn, không cần bảo trì, khắc sạch

Thiết bị nâng laser bán dẫn để làm mỏng nhựa không phá hoại

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

1 2 3 4 5 6 7 8