Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Gallium Nitride wafer

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Blades Sapphire độ cứng cao làm giảm hiệu quả tổn thương mô cho các ứng dụng y tế

GaN trên sapphire GaN Epitaxy Template trên sapphire 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch

Khối laser Sapphire có kích thước nhỏ được sử dụng trong cắt laser, laser y tế và nghiên cứu khoa học

Sapphire Al2O3 Ingots 80KG 200KG 400KG KY Phương pháp phát triển cho chế biến thành phần Sapphire

Đá quý màu Ruby nhân tạo trong suốt cho vòng cổ không có sự bao gồm

Sapphire Blade Knife Cho Thiết bị Y tế Cắt chính xác O Chipping Dưới Kính hiển vi

Cửa sổ quang Sapphire

100×100 150×150 Wafer Carrier Box Storage Box Wafer Shipper For Square Type 25 Slots Abs vật liệu

Titanium Sapphire Crystal Windows TI: Sapphire CRYSTALS Mức độ minh bạch và độ sáng quang học xuất sắc

Đĩa đồng hồ sapphire có thể tùy chỉnh, minh bạch cao, chống trầy xước độ bền cao

JGS1 JGS2 K9 BF33 BK7 Quartz sapphire cửa sổ hình dạng không đều có thể tùy chỉnh thông dẫn cao

Các thành phần quang quartz JGSI JGS2 có thể tùy chỉnh

Không phủ / phủ SapphireTech Chiếc cửa sổ chính xác Độ minh bạch cao Kỹ thuật chính xác

Silicon carbide wafer

DSP đánh bóng 2 inch 3 inch 4Inch 0,35mm 4h-semi SiC Silicon Carbide Wafer

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoelectronic High-Power RF LEDS

3C-N loại Silicon Carbide Wafers 2inch 4inch 6inch Hoặc 5 * 5 10 * 10mm Kích thước sản xuất lớp nghiên cứu lớp

3C-N SiC wafer 4 inch Silicon Carbide Prime Grade Dummy Grade Điện tử di động cao RF LED

Silicon Carbide Wafers 3C-N Type 55 1010mm Inch Diameter Thickness 350 μm±25 μm

4H SiC Mkpụrụ Wafer Thickness 600±50μm <1120> Tùy chỉnh tăng trưởng Silicon carbide

Ống Sapphire

Phương pháp KY ống sapphire trong suốt được đánh bóng KY Phương pháp tùy chỉnh kích thước Độ cứng cao Kháng mòn cao

OD5.1 ID2.0 L108.00±0.25mm ống Sapphire Nhiệt độ cao và chống mòn Tùy chỉnh

Sapphire tổng hợp công nghiệp ống tùy chỉnh đánh bóng Al2O3 Crystal

Bụi sapphire có thể tùy biến Khẳng đường ống sapphire Khó độ Mohs 9,0 Kháng mòn cao

tùy biến Sapphire bất thường Rod công nghiệp mục đích đặc biệt ứng dụng độ cứng cao

99.999% Al2O3 ống với bề mặt đánh bóng chất lượng phát triển công nghệ EFG / KY

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

Chất nền bán dẫn

3 inch 4 inch LiTaO3 Wafer Substrate Double hoặc Single Polished Z-cut X-cut Y-cut Saw grade

Mg Substrate Magnesium đơn tinh thể lục giác 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm độ tinh khiết 99,99%

Vỏ silicon nóng chảy JGS1 JGS2 BF33 8inch 12inch độ dày 750um±25um Ra ≤ 0.5nm TTV ≤ 10um

Phạm vi băng thông N-InP 02:2.5G bước sóng 1270nm epi wafer cho FP laser diode

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Si wafer Silicon wafer Polishing Undoped P type N type bán dẫn

N-GaAs Substrate 6inch 350um Độ dày Đối với VCSEL sử dụng OptiWave VCSEL EpiWafer

Đá quý tổng hợp

Đường kính nhỏ Sapphire Ruby Balls For Alves, Pumps, And Watches Đường xích quả cầu cứng cao

Nông nghiệp nhân tạo Màu sắc doped Sapphire AL2O3 Phương pháp CZ tùy chỉnh Ruby Blue Padparadscha

Ce:LuAG Scintillation Crystal Cerium doped Lutetium Aluminium mật độ cao Thời gian phân rã nhanh PET

Nông nghiệp nhân tạo màu doped Sapphire AL2O3 Phương pháp tùy chỉnh CZ màu tím

Green Sapphire Gemstone: Vật liệu thô tổng hợp cho đồ trang sức bền với độ cứng Mohs là 9

Lemon Yellow Sapphire Gemstone Synthetic Lemon Yellow Raw Material For Jewelry Making Độ cứng Mohs là 9

bộ phận gốm sứ

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Nên nung 1800 ° C Năng lượng nấu tinh thể hỗ trợ các khí khác nhau

Nên nung 1800 ° C Năng lượng nấu tinh thể hỗ trợ các khí khác nhau

8-12 Inch Máy lọc tự động độ chính xác cao mài cắt vật liệu chế biến

Máy nghiền bề mặt saphir CNC Máy đánh bóng bề mặt chính xác

Bộ cảm biến nhiệt độ sợi quang GaAs chính xác cao

Bionic Anti-Slip Pad cho ngành công nghiệp quang điện và hiển thị

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Cửa sổ kính Sapphire tùy chỉnh Màu trắng trong suốt Bề mặt được đánh bóng

Độ dày 3.75mm Sapphire Crystal Watch Case Blue 9H Độ cứng mài mòn cao Độ bền

Hộp đựng wafer

Hộp đựng hộp đựng sóng đơn Wafer tròn PP 12 inch Ngăn ngừa ô nhiễm

8inch 2inch 4inch 6inch Hộp băng đựng wafer Carrier Container cho lô hàng 25 chiếc

Hộp mẫu wafer đơn 4 "/ 100mm cho chất nền SiC SiC SiC

Hộp đựng wafer đơn Polypropylen Hộp đựng wafer 6" 150mm

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

2 3 4 5 6 7 8 9