Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Sapphire Wafer Monocrystal Al2O3 DSP SSP 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch A plane C plane

Blades Sapphire độ cứng cao làm giảm hiệu quả tổn thương mô cho các ứng dụng y tế

GaN trên sapphire GaN Epitaxy Template trên sapphire 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch

Sapphire Al2O3 Ingots 80KG 200KG 400KG KY Phương pháp phát triển cho chế biến thành phần Sapphire

Khối laser Sapphire có kích thước nhỏ được sử dụng trong cắt laser, laser y tế và nghiên cứu khoa học

Sapphire Blade Knife Cho Thiết bị Y tế Cắt chính xác O Chipping Dưới Kính hiển vi

Cửa sổ quang Sapphire

Các thành phần tổng hợp Sapphire Các thấu kính gương hình trụ Sapphire Hiệu suất cao

Dia60 * 5mm Sapphire Quang Windows Round cho thiết bị chân không Smartphone

Windows quang công nghiệp Windows tùy chỉnh hình chữ nhật Plano 193x60x7mmt

Các thành phần quang Sapphire có thể tùy chỉnh Dải bước sóng áp dụng cực dài

100×100 150×150 Wafer Carrier Box Storage Box Wafer Shipper For Square Type 25 Slots Abs vật liệu

Titanium Sapphire Crystal Windows TI: Sapphire CRYSTALS Mức độ minh bạch và độ sáng quang học xuất sắc

Silicon carbide wafer

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

SIC đơn tinh thể dẫn điện 6 inch trên nền composite SIC đa tinh thể

SiC Wafer 12inch 300mm Độ dày 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade cho bán dẫn

4h-N 100um Silicon Carbide bột mài để tăng trưởng tinh thể SIC

12inch SiC Wafer Silicon Carbide Wafer 300mm Substrate 750±25um 4H-N Type Orientation 100 Phân loại nghiên cứu sản xuất

4H N loại Semi loại SiC Wafer 6inch 12inch SiC Wafer SiC chất nền ((0001) hai mặt đánh bóng Ra≤1 nm tùy chỉnh

Ống Sapphire

Làn Sapphire High-End Thermocouple bảo vệ vỏ xuyên suốt chống nhiệt độ cao

ống saphir cao cấp ống bảo vệ nhiệt cặp ống nhôm oxit ống saphir đánh bóng

Các ống NMR sapphire Diameter 5mm/10mm Length 100mm/Custom lengths

Bụi sapphire 99,999% AL2O3 Đa mịn Độ cứng cao Nguồn ion tùy chỉnh EFG KY

ống saphir trong suốt AL2O3 độ cứng cao KY EFG đánh bóng Lon nguồn tùy chỉnh

Phương pháp KY ống sapphire trong suốt được đánh bóng KY Phương pháp tùy chỉnh kích thước Độ cứng cao Kháng mòn cao

Chất nền bán dẫn

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Si wafer Silicon wafer Polishing Undoped P type N type bán dẫn

MgO Wafer 111 100 Polished Magnesium Oxide Monocrystal bán dẫn tùy chỉnh

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 inch Độ dày 350-650um InGaAs Doping

2 inch 3 inch InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide epi Wafer bán dẫn tùy chỉnh FP laser diode

InP DFB Epiwafer bước sóng 1390nm InP nền 2 4 6 inch cho 2,5 ~ 25G DFB laser diode

N-GaAs Substrate 6inch 350um Độ dày Đối với VCSEL sử dụng OptiWave VCSEL EpiWafer

Đá quý tổng hợp

Nd Ce YAG Laser Crystal 1inch 2inch 10x10mmt Yttrium Nhôm Garnet wafer

Tùy chỉnh Ruby Sapphire Đánh bóng Rod Ingot Ky Phương pháp tăng trưởng Đường kính 1 - 120mm

Tinh thể Sapphire pha tạp Al2o3 Ti tần số cao cho thiết bị laser

Sapphire màu đỏ pha tạp Sapphire pha tạp Sapphire pha lê đơn cho thiết bị laser

bộ phận gốm sứ

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy cắt tỉa chính xác tự động Tự động hoàn toàn cắt tỉa wafer cắt tỉa chính xác

Máy mỏng wafer hoàn toàn tự động Si SiC GaN mài wafer siêu mỏng

Nên nung 1800 ° C Năng lượng nấu tinh thể hỗ trợ các khí khác nhau

Nên nung 1800 ° C Năng lượng nấu tinh thể hỗ trợ các khí khác nhau

8-12 Inch Máy lọc tự động độ chính xác cao mài cắt vật liệu chế biến

Máy nghiền bề mặt saphir CNC Máy đánh bóng bề mặt chính xác

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Thạch tinh đồng hồ Sapphire cứng cao với Optical Polishing & AR Coating Options

Vòng bi ruby xuyên lỗ được chế tạo chính xác với độ cứng cực cao (Mohs 9) và ruby tinh thể đơn tổng hợp để giảm thiểu ma sát và mài mòn

39/40/45mm Sapphire Crystal Watch Mặt trượt kính hiển vi hai mặt được đánh bóng

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

3 4 5 6 7 8 9 10