Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Sapphire Wafer 12 inch AL2O3 Tùy chỉnh DSP SSP C plane A plane M plane LED Sapphire substrate

Sapphire wafer Al2O3 8 inch C Máy bay A Máy bay M Máy bay KY Trượt đôi SSP được đánh bóng

Gallium Nitride On Silicon Wafer GaN-on-Si 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch Cho công nghệ CMOS

GaN trên sapphire GaN Epitaxy Template trên sapphire 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch

Blades Sapphire độ cứng cao làm giảm hiệu quả tổn thương mô cho các ứng dụng y tế

Sapphire Wafer Monocrystal Al2O3 DSP SSP 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch A plane C plane

Cửa sổ quang Sapphire

Windows quang công nghiệp Windows tùy chỉnh hình chữ nhật Plano 193x60x7mmt

Titanium Sapphire Crystal Optical Windows Độ cứng cao Kích thước tùy chỉnh Thông minh tuyệt vời cho mục đích quang học

Các thành phần quang Sapphire có thể tùy chỉnh Dải bước sóng áp dụng cực dài

100×100 150×150 Wafer Carrier Box Storage Box Wafer Shipper For Square Type 25 Slots Abs vật liệu

Titanium Sapphire Crystal Windows TI: Sapphire CRYSTALS Mức độ minh bạch và độ sáng quang học xuất sắc

Đĩa đồng hồ sapphire có thể tùy chỉnh, minh bạch cao, chống trầy xước độ bền cao

Silicon carbide wafer

SiC Wafer 12inch 300mm Độ dày 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade cho bán dẫn

4h-N 100um Silicon Carbide bột mài để tăng trưởng tinh thể SIC

12inch SiC Wafer Silicon Carbide Wafer 300mm Substrate 750±25um 4H-N Type Orientation 100 Phân loại nghiên cứu sản xuất

4H N loại Semi loại SiC Wafer 6inch 12inch SiC Wafer SiC chất nền ((0001) hai mặt đánh bóng Ra≤1 nm tùy chỉnh

SiC Wafer 4inch 12inch 4H N loại Semi loại loại sản xuất chất lượng nghiên cứu chất lượng giả DSP tùy chỉnh

8 inch 12 inch 4H-N Type SiC Wafer Thickness 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime Research Grade

Ống Sapphire

Các ống NMR sapphire Diameter 5mm/10mm Length 100mm/Custom lengths

Bụi sapphire 99,999% AL2O3 Đa mịn Độ cứng cao Nguồn ion tùy chỉnh EFG KY

ống saphir trong suốt AL2O3 độ cứng cao KY EFG đánh bóng Lon nguồn tùy chỉnh

Phương pháp KY ống sapphire trong suốt được đánh bóng KY Phương pháp tùy chỉnh kích thước Độ cứng cao Kháng mòn cao

OD5.1 ID2.0 L108.00±0.25mm ống Sapphire Nhiệt độ cao và chống mòn Tùy chỉnh

Sapphire tổng hợp công nghiệp ống tùy chỉnh đánh bóng Al2O3 Crystal

Chất nền bán dẫn

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Si wafer Silicon wafer Polishing Undoped P type N type bán dẫn

N-GaAs Substrate 6inch 350um Độ dày Đối với VCSEL sử dụng OptiWave VCSEL EpiWafer

InP DFB Epiwafer bước sóng 1390nm InP nền 2 4 6 inch cho 2,5 ~ 25G DFB laser diode

2 inch 3 inch InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide epi Wafer bán dẫn tùy chỉnh FP laser diode

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 inch Độ dày 350-650um InGaAs Doping

MgO Wafer 111 100 Polished Magnesium Oxide Monocrystal bán dẫn tùy chỉnh

Đá quý tổng hợp

Green Sapphire Gemstone: Vật liệu thô tổng hợp cho đồ trang sức bền với độ cứng Mohs là 9

Lemon Yellow Sapphire Gemstone Synthetic Lemon Yellow Raw Material For Jewelry Making Độ cứng Mohs là 9

Đá quý màu tổng hợp sapphire đá thô xanh trời độ cứng Mohs 9 cho đồ trang sức thủ công

Ngọc quý thạch xanh Emerald Sapphire được chế tạo trong phòng thí nghiệm để làm đồ trang sức tinh tế

Vật liệu sapphire AL2O3 Monocrystal 80KG 200KG 400KG KY Method LED Semi Grade

Ti3 + Đỏ Sapphire Laser Al2O3 Single Crystal cửa sổ quang tùy chỉnh gói an toàn

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy khoan laser chính xác cao micromachining laser, khoan laser, cắt laser

Các cảm biến nhiệt độ sợi quang Gallium Arsenide cho công nghiệp từ -200 °C đến +250 °C

Phong điện tăng trưởng SiC Boule PVT HTCVD Và LPE Công nghệ sản xuất SiC Boule tinh thể đơn

Máy cắt nhựa SiC cho 4 inch 6 inch 8 inch 10 inch SiC Tốc độ cắt 0,3 mm / phút trung bình

Phương pháp kháng cự lò tăng trưởng đơn tinh của cacbon silicon 6 8 12 inch lò tăng trưởng thạch SiC

SiC lò tăng trưởng tinh thể nhiệt kháng tinh thể đơn cho sản xuất miếng SiC 6 inch 8 inch 12 inch

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Mặt đồng hồ Sapphire tinh khiết cao tinh khiết Kích thước tùy chỉnh đánh bóng bề mặt

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Cửa sổ kính Sapphire tùy chỉnh Màu trắng trong suốt Bề mặt được đánh bóng

Độ dày 3.75mm Sapphire Crystal Watch Case Blue 9H Độ cứng mài mòn cao Độ bền

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

3 4 5 6 7 8 9 10