Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Ống thạch anh được đánh bóng Dia 200mm JGS2 JGS1

Sapphire wafer 2 inch C-plane ((0001) DSP SSP 99,999% Monocrystalline Al2O3 LEDS bán dẫn

Vật liệu sapphire AL2O3 Monocrystal 80KG 200KG 400KG KY Phương pháp LED bán dẫn

Sapphire Wafer 12 inch AL2O3 Tùy chỉnh DSP SSP C plane A plane M plane LED Sapphire substrate

Sapphire wafer Al2O3 8 inch C Máy bay A Máy bay M Máy bay KY Trượt đôi SSP được đánh bóng

Gallium Nitride On Silicon Wafer GaN-on-Si 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch Cho công nghệ CMOS

Cửa sổ quang Sapphire

Xoắn ốc đánh bóng tùy chỉnh Sapphire Cửa sổ quang học chịu nhiệt độ cao

Các thành phần tổng hợp Sapphire Các thấu kính gương hình trụ Sapphire Hiệu suất cao

Dia60 * 5mm Sapphire Quang Windows Round cho thiết bị chân không Smartphone

Windows quang công nghiệp Windows tùy chỉnh hình chữ nhật Plano 193x60x7mmt

Titanium Sapphire Crystal Optical Windows Độ cứng cao Kích thước tùy chỉnh Thông minh tuyệt vời cho mục đích quang học

Các thành phần quang Sapphire có thể tùy chỉnh Dải bước sóng áp dụng cực dài

Silicon carbide wafer

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

SIC đơn tinh thể dẫn điện 6 inch trên nền composite SIC đa tinh thể

SiC Wafer 12inch 300mm Độ dày 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade cho bán dẫn

4h-N 100um Silicon Carbide bột mài để tăng trưởng tinh thể SIC

12inch SiC Wafer Silicon Carbide Wafer 300mm Substrate 750±25um 4H-N Type Orientation 100 Phân loại nghiên cứu sản xuất

4H N loại Semi loại SiC Wafer 6inch 12inch SiC Wafer SiC chất nền ((0001) hai mặt đánh bóng Ra≤1 nm tùy chỉnh

Ống Sapphire

Độ cứng cao ống saphir ống chống trầy xước hình dạng ống minh bạch độ cứng cao

Làn Sapphire High-End Thermocouple bảo vệ vỏ xuyên suốt chống nhiệt độ cao

ống saphir cao cấp ống bảo vệ nhiệt cặp ống nhôm oxit ống saphir đánh bóng

Các ống NMR sapphire Diameter 5mm/10mm Length 100mm/Custom lengths

Bụi sapphire 99,999% AL2O3 Đa mịn Độ cứng cao Nguồn ion tùy chỉnh EFG KY

ống saphir trong suốt AL2O3 độ cứng cao KY EFG đánh bóng Lon nguồn tùy chỉnh

Chất nền bán dẫn

Vỏ silicon nóng chảy JGS1 JGS2 BF33 8inch 12inch độ dày 750um±25um Ra ≤ 0.5nm TTV ≤ 10um

Phạm vi băng thông N-InP 02:2.5G bước sóng 1270nm epi wafer cho FP laser diode

2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 12 inch Si wafer Silicon wafer Polishing Undoped P type N type bán dẫn

MgO Wafer 111 100 Polished Magnesium Oxide Monocrystal bán dẫn tùy chỉnh

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 inch Độ dày 350-650um InGaAs Doping

2 inch 3 inch InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide epi Wafer bán dẫn tùy chỉnh FP laser diode

Đá quý tổng hợp

Nông nghiệp nhân tạo Màu sắc doped Sapphire AL2O3 Phương pháp CZ tùy chỉnh Ruby Blue Padparadscha

Lemon Yellow Sapphire Gemstone Synthetic Lemon Yellow Raw Material For Jewelry Making Độ cứng Mohs là 9

Đá quý màu tổng hợp sapphire đá thô xanh trời độ cứng Mohs 9 cho đồ trang sức thủ công

Ngọc quý thạch xanh Emerald Sapphire được chế tạo trong phòng thí nghiệm để làm đồ trang sức tinh tế

Vật liệu sapphire AL2O3 Monocrystal 80KG 200KG 400KG KY Method LED Semi Grade

Ti3 + Đỏ Sapphire Laser Al2O3 Single Crystal cửa sổ quang tùy chỉnh gói an toàn

bộ phận gốm sứ

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy cắt tỉa chính xác tự động Tự động hoàn toàn cắt tỉa wafer cắt tỉa chính xác

Máy mỏng wafer hoàn toàn tự động Si SiC GaN mài wafer siêu mỏng

8/6/4/2Inch LPCVD lò oxy hóa tự động đầy đủ Kiểm soát oxy thấp

Nên nung 1800 ° C Năng lượng nấu tinh thể hỗ trợ các khí khác nhau

Nên nung 1800 ° C Năng lượng nấu tinh thể hỗ trợ các khí khác nhau

8-12 Inch Máy lọc tự động độ chính xác cao mài cắt vật liệu chế biến

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

39/40/45mm Sapphire Crystal Watch Mặt trượt kính hiển vi hai mặt được đánh bóng

Mặt đồng hồ Sapphire tinh khiết cao tinh khiết Kích thước tùy chỉnh đánh bóng bề mặt

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Cửa sổ kính Sapphire tùy chỉnh Màu trắng trong suốt Bề mặt được đánh bóng

Độ dày 3.75mm Sapphire Crystal Watch Case Blue 9H Độ cứng mài mòn cao Độ bền

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

3 4 5 6 7 8 9 10