Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

Các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Bản đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

Các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Thống Ruby tổng hợp Cr:Al2O3 Có sẵn trong 2mm / 4mm Dia10mm / 20mm chiều dài

GS1 Lớp tổng hợp hợp nhất Tấm Quartz Cửa sổ quang học

Thông qua đường kính (TGV) cho JGS1 JGS2 thủy tinh corning sapphire cho Sensor Manufacturing and Packaging

Sapphire Wafer 2 inch 4 inch Single Side Double Side Polish 350um Thickness Crystal Orientation C-plane

Quartz Crystal Substrate trong các kích thước khác nhau 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch với độ dày tùy chỉnh

Sapphire Ingot 99,999% AL2O3 Monocrystal KY Method LED bán dẫn

Cửa sổ quang Sapphire

Sapphire Prism Al2O3 Ky Phương pháp Laser & Optical Communication Thông số kỹ thuật tùy chỉnh

Lối đệm sapphire/through-hole/End-face/Groove theo kích thước tùy chỉnh

Sapphire Optical Windows AL2O3 Vòng hình chữ nhật đánh bóng AR Lớp phủ tùy chỉnh

ITO tráng kính slide Indium thiếc oxit tráng kính cửa sổ trong suốt 1mm 10ohm

Độ dày 51mm Sapphire Quang Windows Khối tinh thể Rough Cube cho mái vòm phi cầu

Kính bảo vệ Sapphire quang Windows Glass Double Side được đánh bóng 40/20 cho đồng hồ

Silicon carbide wafer

Ống kính quang học Silicon Carbide SiC Ứng dụng Hồng ngoại & Laser

Silicon Carbide SiC Ceramic Tray Semi-Conductor Etching Và Photovoltaic Wafer Handling

SiC hạt tinh thể đường kính 153mm 155mm 203mm 205mm 208mm PVT

Các tinh thể hạt SiC đặc biệt là những tinh thể có đường kính 153, 155, 205, 203 và 208 mm

Bột HPSI SiC bán cách nhiệt độ tinh khiết cao/99,9999% Tăng trưởng tinh thể tinh khiết

SIC đơn tinh thể dẫn điện 6 inch trên nền composite SIC đa tinh thể

Ống Sapphire

Các thanh ống Sapphire chống trầy xước cao cho các ứng dụng nhiệt độ cao

Sapphire ống tinh thể đơn Al2O3 thanh ruy băng cho các ứng dụng áp suất cao

Độ cứng cao ống saphir ống chống trầy xước hình dạng ống minh bạch độ cứng cao

Làn Sapphire High-End Thermocouple bảo vệ vỏ xuyên suốt chống nhiệt độ cao

ống saphir cao cấp ống bảo vệ nhiệt cặp ống nhôm oxit ống saphir đánh bóng

Các ống NMR sapphire Diameter 5mm/10mm Length 100mm/Custom lengths

Chất nền bán dẫn

Ni Substrate cấu trúc khối tinh thể đơn < 100> < 110> < 111> a = 3,25A độ tinh khiết 99,99% mật độ 8.91

Mg Substrate Magnesium đơn tinh thể lục giác 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm độ tinh khiết 99,99%

Chất chứa Magnesium đơn tinh thể Mg Wafer / Substrate Orientatiion <0001> <11-20> <10-10> <1-102> DSP SSP

Đồng Substrate đồng Cubic Cu Wafer / Substrate 100 110 111 Orientaiton SSP DSP Độ tinh khiết 99,99%

Đơn tinh thể Cu nền đồng 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A

Định hướng nền nhôm tinh thể đơn 111 100 111 5 × 5 × 0,5mm A = 4,040Ã

Đá quý tổng hợp

Tinh thể Sapphire pha tạp Laser màu Al2o3 Tổng hợp

Ti3+ Red Sapphire Cr3+ Laser Sapphire Pigeon Blood Ruby Rod

Er: YAG tinh thể Erbium Doped Yttrium Aluminium Garnet Crystal Paraiba Blue Lab làm từ đá quý thô

Đá quý màu tổng hợp sapphire đá thô xanh trời độ cứng Mohs 9 cho đồ trang sức thủ công

Champagne Moissanite 9,25 độ cứng Mohs Đá quý màu được tạo ra trong phòng thí nghiệm Đá Moissanite thô

Màu xanh lục ngọc lam Moissanite SiC Đơn tinh thể độ cứng Mohs 9,25 Moissanite nguyên liệu thô cho đồ trang sức

bộ phận gốm sứ

Silicon Carbide Ceramic Tray với CVD SiC Lớp phủ kích thước tùy chỉnh Sintering nhiệt độ cao

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Máy đánh dấu cầu vồng laser siêu nhanh Dải nhiễu kim loại với hiệu ứng cầu vồng chuyển hướng góc động

Wafer Bonder Thiết bị Nhiệt độ phòng Bonding Hydrophilic Bonding cho 4 6 8 12 inch SiC-Si SiC-SiC

Infrared picosecond hai nền tảng kính laser cắt thiết bị thạch anh sapphire

Wafer Bonder Hydrophilic Bonding thiết bị MEMS điện tử máy kết nối wafer

Máy mỏng wafer hoàn toàn tự động Si SiC GaN mài wafer siêu mỏng

Máy cắt tỉa chính xác tự động Tự động hoàn toàn cắt tỉa wafer cắt tỉa chính xác

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

3 4 5 6 7 8 9 10