Chất nền Sapphire

• Tấm wafer Sapphire 4Inch có độ cứng cao cho đèn Led Điốt laze Quang điện tử
• C-Plane Al2O3 99,999% Sapphire Chất mang wafer đơn tinh thể Chất nền 8 inch Dia200mm
• Tấm kính 2 inch 50,8mm Sapphire Độ dày 0,175mm / 0,3mm / 0,4mm / 0,5mm cho máy ảnh
• 4Inch Tùy chỉnh A Axis Wafers Sapphire cho sự tăng trưởng vùng biểu bì 430um SSP DSP

Cửa sổ quang Sapphire

• Al2O3 Crystal Sapphire Windows Glass Lens Chất nền Vòng tròn Quạt vuông
• Sapphire Windows Glass Substrates Al2O3 Crystal Circle Round Fan Square 200x200mm
• Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học 10 x 10 / 7x7mm
• Ống kính Silicon đơn tinh thể tùy chỉnh của Windows Wafer Substrate Demo Ống kính silicon đơn tinh thể

Silicon carbide wafer

• 5×5mm 10×10mm SiC Wafer 4H-P 6H-P 3C-N loại sản xuất
• 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch 4H P Type 6H P Type 3C N Type SiC Wafer Silicon Carbide Wafer bán dẫn
• SiC Wafer 4H N-type Silicon Carbide 2 inch 4 inch 6 inch 8 inch DSP tùy chỉnh
• Semi-Insulating SiC Composite Substrate Epi sẵn sàng 6inch 150mm cho các thiết bị quang điện tử

Ống Sapphire

• Vòng tròn Quạt tròn Square Sapphire Ống / Que Thủy tinh Ống kính Chất nền Tinh thể Al2O3
• Khả năng chịu nhiệt độ cao Ống Sapphire 50,4mm Đường kính lớn Thanh KY Sapphire
• Các thành phần Sapphire chống ăn mòn Các thành phần vòng bi được đánh bóng
• Kiểm soát dòng chảy Thanh ống Sapphire Dụng cụ cách điện bảo vệ Ống thạch anh

Chất nền bán dẫn

• GaP Wafer 2inch N Type Undoped S Doped 100 DSP SSP CZ Độ tinh khiết cao 5N 99,999%
• Si wafer 4 inch CZ đánh bóng Dopant Arsenic ((As) Boron ((B)) Phosphorus ((Ph)) (100) bán dẫn
• Optical Fused Quartz Tube SiO2 Crystal Glass tùy chỉnh minh bạch cả hai đầu mở một đầu đóng
• 8inch GaN-on-Si Epitaxy Si Substrate 110 111 110 cho các lò phản ứng MOCVD hoặc ứng dụng năng lượng RF

Đá quý tổng hợp

• Đá quý thô màu xanh ô liu sapphire tổng hợp 99,999% Al2O3 độ cứng Mohs 9.0
• Champagne Moissanite 9,25 độ cứng Mohs Đá quý màu được tạo ra trong phòng thí nghiệm Đá Moissanite thô
• Moissanite đá quý thô màu xanh hoàng gia tổng hợp SiC đơn tinh thể Mohs Độ cứng 9,25 Vật liệu thô cho đồ trang sức
• Royal Blue Moissanite Rough Single Crystal Silicon Carbide In Jewelry Industry - Được tạo ra trong phòng thí nghiệm

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

• SiC lò PVT Lely TSSG & LPE Hệ thống tăng trưởng tinh thể cho sản xuất Silicon Carbide
• MIOC Intensity Modulator Chip, Phase Modulator Chip
• Phân chế pha Lithium Niobate đa băng tần 40 GHz
• Phòng bếp tăng trưởng tinh thể sapphire KY Kyropoulos Method 90-400kg Để sản xuất sapphire