Trang chủ

Về chúng tôi

Hồ sơ công ty

Tham quan nhà máy

Kiểm soát chất lượng

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Cửa sổ quang Sapphire

Silicon carbide wafer

Ống Sapphire

Chất nền bán dẫn

Đá quý tổng hợp

bộ phận gốm sứ

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Hộp đựng wafer

Chất nền siêu tinh thể mỏng

Gallium Nitride wafer

các giải pháp

Blog

Liên hệ chúng tôi

Trích dẫn

Trang chủ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Sơ đồ trang web

Công ty

Về chúng tôi

Liên hệ chúng tôi

Blog

các giải pháp

các sản phẩm

Chất nền Sapphire

Tấm kính 2 inch 50,8mm Sapphire Độ dày 0,175mm / 0,3mm / 0,4mm / 0,5mm cho máy ảnh

4Inch Tùy chỉnh A Axis Wafers Sapphire cho sự tăng trưởng vùng biểu bì 430um SSP DSP

Wafer đế Sapphire 2 inch 50,8mm Hai mặt được đánh bóng Trục M Trục C Trục A

4inch 101,6mm Sapphire wafer Chất mang đế Một mặt được đánh bóng đơn tinh thể Al2O3

2inch 4inch 6inch Sapphire wafer Chất nền đơn tinh thể C Miscut A Degree M Plane

Độ tinh khiết cao Al2O3 99,999% Sapphire Chất nền wafer Carrier DSP SSP

Cửa sổ quang Sapphire

Al2O3 Single Crystal Sapphire Glass Razor Blade Y tế sắc nét và được đánh bóng 38x4.5x0.3mmt

K9 Sapphire Quartz Quang Windows Cửa sổ wafer ZnSe Kính quang học Laser

Al2O3 Crystal Sapphire Windows Glass Lens Chất nền Vòng tròn Quạt vuông

Sapphire Windows Glass Substrates Al2O3 Crystal Circle Round Fan Square 200x200mm

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học 10 x 10 / 7x7mm

Ống kính Silicon đơn tinh thể tùy chỉnh của Windows Wafer Substrate Demo Ống kính silicon đơn tinh thể

Silicon carbide wafer

6N Độ tinh khiết DSP Bề mặt không che phủ HPSI Dummy Prime Class SIC Wafer

Chất nền cacbua silicon 4Inch, Tấm lót giả siêu tinh khiết cao cấp 4H- Semi SiC

4 '' Silicon trên các tấm wafer Sapphire Sản xuất các tấm SiC pha tạp 4 lớp N

4H/6H P-Type Sic Wafer 4inch 6inch Z Grade P Grade D Grade Off Axis 2.0°-4.0° Tới loại P Doping

SiC Substrate Silicon Carbide Subatrte 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P lớp R lớp D lớp

SiC chất nền 4inch p-type 4H/6H-P n-type 3C-N Zero lớp sản xuất lớp Dummy

Ống Sapphire

Kiểm soát dòng chảy Thanh ống Sapphire Dụng cụ cách điện bảo vệ Ống thạch anh

Ống Sapphire định hình để bảo vệ dây cặp nhiệt điện ở nhiệt độ cao

Dụng cụ hóa học kiểm soát dòng chảy ống bảo vệ ống Ruby Tube Sapphire

Thạch anh hợp nhất Silica Ống Sapphire được đánh bóng quang học / Thanh K9 Độ cứng cao

3 * 0.15mmt Các thành phần Sapphire Nội soi Nhiệt độ thấp Phòng thí nghiệm nuôi cấy vi khuẩn

Quang học đánh bóng ống thủy tinh Sapphire ống xi lanh ống / thanh nhiệt độ cao

Chất nền bán dẫn

Silicon trên Isolator SOI Wafer 6 ", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-type / Boron Doped)

Định hướng Silicon Wafer CZ111 Chống: 1-10 (ohm.cm) một mặt hoặc hai mặt sơn

Wafer silicon dày 4 inch 500+/-20 Kháng kháng 1-10 ohm·cm

3inch InP Indium Phosphide Substrate N-type bán dẫn phương pháp tăng trưởng VGF 111 100 định hướng

Epi Ready 4inch InP Wafers N Type P Type EPF < 1000cm^2 Với độ dày 325mm±50mm

Single Crystal Si Wafer thiết bị điện tử chất nền Photolithography Layer 2"3"4"6"8"

Đá quý tổng hợp

Đường kính nhỏ Sapphire Ruby Balls For Alves, Pumps, And Watches Đường xích quả cầu cứng cao

Đánh bóng cho tính minh bạch và chính xác Ứng dụng Saffire Balls công nghiệp Độ cứng và sức đề kháng cao

LSO ((Ce) Luteum Oxyorthosilicate ((Ce) Crystal scintillator cho hình ảnh y tế hiệu quả scintillation cao

Green Sapphire Gemstone: Vật liệu thô tổng hợp cho đồ trang sức bền với độ cứng Mohs là 9

Ce:LuAG Scintillation Crystal Cerium doped Lutetium Aluminium mật độ cao Thời gian phân rã nhanh PET

Lemon Yellow Sapphire Gemstone Synthetic Lemon Yellow Raw Material For Jewelry Making Độ cứng Mohs là 9

bộ phận gốm sứ

SiC Ceramic Tray Plate Wafer Holder cho quá trình khắc ICP trong xử lý tăng trưởng epitaxial

SiC Ceramic Tray Plate cho 2inch 4inch 6inch Wafer Processing và kích thước tùy chỉnh

Thiết bị phòng thí nghiệm khoa học

1000nm Phase Modulator Vπ thấp, dung nạp công suất cao, thiết kế phân cực đơn cho cảm biến sợi & truyền thông quang học

Lithium Niobate (LiNbO3) Y-Waveguide Modulator / Low Vπ 3.5V / High PER 25dB / Tương thích với FOG, FOCT, Truyền thông lượng tử

SiC lò PVT Lely TSSG & LPE Hệ thống tăng trưởng tinh thể cho sản xuất Silicon Carbide

MIOC Intensity Modulator Chip, Phase Modulator Chip

Phân chế pha Lithium Niobate đa băng tần 40 GHz

Phòng bếp tăng trưởng tinh thể sapphire KY Kyropoulos Method 90-400kg Để sản xuất sapphire

Vỏ đồng hồ Sapphire Crystal

Mặt đồng hồ Sapphire Crystal có độ tinh khiết cao Kích thước tùy chỉnh Bề mặt được đánh bóng

Thạch tinh đồng hồ Sapphire cứng cao với Optical Polishing & AR Coating Options

Vòng bi ruby xuyên lỗ được chế tạo chính xác với độ cứng cực cao (Mohs 9) và ruby tinh thể đơn tổng hợp để giảm thiểu ma sát và mài mòn

39/40/45mm Sapphire Crystal Watch Mặt trượt kính hiển vi hai mặt được đánh bóng

39/40 / 45mm Một mặt đồng hồ Sapphire Sapphire, Mặt đồng hồ tinh

Hộp đựng wafer

Hộp vận chuyển Polypropylene Single Wafer 4 "101,6mm

Chất nền siêu tinh thể mỏng

10x10mmt Siêu dẫn chất nền đơn tinh thể Terbium Gallium Garnet cho thiết bị Laser

Chất siêu dẫn tinh thể mỏng đơn chất siêu dẫn MgAl2O4 10x10x0.5mmt 1sp / 2sp

Tinh thể đơn siêu dẫn Chất nền đơn tinh thể 10X10mm Định hướng Kẽm

Gallium Nitride wafer

Kích thước tùy chỉnh 5x10mm M Trục đứng tự do HVPE Gali Nitride Wafer

Si Fe pha tạp không pha tạp Gallium Nitride wafer 2 INCH Laser chiếu

2 inch DSP SSP Gallium Nitride wafer Một trục Sapphire tạo nền cho mẫu Epitax

7 8 9 10 11 12 13 14